RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
42
92
Autour de -119% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.1
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
42
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
3170
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link