RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
92
Autour de -217% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
29
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
3483
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9N1 16GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link