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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
92
Autour de -188% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.5
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
32
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
10.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
2714
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
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