RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Kingston KCDT82-MIE 4GB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
92
Autour de -142% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
38
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
2302
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link