RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Comparez
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Note globale
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
29
Autour de -4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.6
9.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.2
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
28
Vitesse de lecture, GB/s
9.9
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
9.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1691
2625
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link