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Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Comparez
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Note globale
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Note globale
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
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Raisons de considérer
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
29
Autour de -12% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.6
9.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.7
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
26
Vitesse de lecture, GB/s
9.9
12.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1691
2257
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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