RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Comparez
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Note globale
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Note globale
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
68
Autour de 47% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
68
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2292
1812
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparaison des RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link