RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Comparez
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Note globale
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,077.3
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
61
Autour de -79% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
61
34
Vitesse de lecture, GB/s
3,835.2
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,077.3
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
606
3206
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link