RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Comparez
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Note globale
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,077.3
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
61
Autour de -126% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
61
27
Vitesse de lecture, GB/s
3,835.2
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,077.3
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
606
3061
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Micron Technology 16HTF25664AY-800J1 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.C16FH 2GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Kingston 9905428-123.A00LF 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link