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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Comparez
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Note globale
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Note globale
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
61
Autour de -85% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
2,077.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
61
33
Vitesse de lecture, GB/s
3,835.2
10.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,077.3
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
606
2235
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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