RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Comparez
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB vs Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Note globale
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Note globale
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
81
95
Autour de 15% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
874.3
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
81
95
Vitesse de lecture, GB/s
1,885.7
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
874.3
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
277
1518
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB Comparaison des RAM
Kingston 99U5315-012.A00LF 512MB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link