RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Comparez
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Note globale
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Note globale
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
54
Autour de -74% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.0
1,308.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
31
Vitesse de lecture, GB/s
3,573.5
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,308.1
14.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
371
3415
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link