RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Comparez
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Note globale
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
31
Autour de 10% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
31
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1578
2577
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link