RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Comparez
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Note globale
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Note globale
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,256.8
14.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
64
Autour de -64% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
64
39
Vitesse de lecture, GB/s
4,651.3
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,256.8
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
837
3177
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link