RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
42
74
Autour de 43% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.4
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.6
6.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
74
Vitesse de lecture, GB/s
9.7
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
6.0
8.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1396
1849
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link