RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Note globale
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
42
Autour de -14% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21.6
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.0
6.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
37
Vitesse de lecture, GB/s
9.7
21.6
Vitesse d'écriture, GB/s
6.0
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1396
3581
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link