RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
42
Autour de -56% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.3
6.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
27
Vitesse de lecture, GB/s
9.7
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
6.0
15.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1396
3628
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Mushkin 991586 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link