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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Note globale
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Raisons de considérer
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
42
Autour de -17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.4
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
6.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
36
Vitesse de lecture, GB/s
9.7
13.4
Vitesse d'écriture, GB/s
6.0
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1396
2466
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparaison des RAM
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Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
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