RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Comparez
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB vs G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Note globale
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
28
Autour de -12% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.8
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
25
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
19.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
15.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2226
3668
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
AMD R744G2606U1S 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link