RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
71
Autour de -137% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.7
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
30
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
14.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
3527
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link