RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
18.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
71
Autour de -184% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.4
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
25
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
18.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
15.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
3632
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link