RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
71
Autour de -129% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
31
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
3123
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link