RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
71
Autour de -129% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.0
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
31
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
14.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
3112
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Elpida EBJ20UF8BCS0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Mushkin 996902 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link