RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
71
Autour de -87% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.8
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
38
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
9.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
2451
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link