RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT8GC64B8HB0NS-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Comparez
Nanya Technology NT8GC64B8HB0NS-DI 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Note globale
Nanya Technology NT8GC64B8HB0NS-DI 8GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT8GC64B8HB0NS-DI 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
47
Autour de -31% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT8GC64B8HB0NS-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
36
Vitesse de lecture, GB/s
11.6
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2055
2907
Nanya Technology NT8GC64B8HB0NS-DI 8GB Comparaison des RAM
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Jinyu 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link