RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Comparez
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Note globale
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.7
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.6
6.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
35
Autour de -25% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
28
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
11.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
6.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2312
1426
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Elpida EBJ10UE8BDF0-DJ-F 1GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link