RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Comparez
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
35
Autour de -3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.9
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
34
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2312
3206
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link