RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Comparez
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Note globale
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.6
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
35
Autour de -13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
31
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2312
2713
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link