RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Comparez
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
37
Autour de 5% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.2
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.7
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
37
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2312
2591
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link