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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Comparez
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Note globale
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
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Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Raisons de considérer
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
35
Autour de -52% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.9
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
23
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
9.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2312
2591
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
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