RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Comparez
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Note globale
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
35
Autour de -13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
31
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2312
2816
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
INTENSO 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link