RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Comparez
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Note globale
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
58
Autour de 33% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.2
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
58
Vitesse de lecture, GB/s
14.7
9.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.2
7.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2322
2172
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB Comparaison des RAM
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link