RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Comparez
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
79
Autour de 48% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.2
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.1
14
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
79
Vitesse de lecture, GB/s
14.0
14.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.2
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2356
1651
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB Comparaison des RAM
Smart Modular SH564568FH8N0QHSCG 2GB
Mushkin 994093 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link