RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Comparez
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Note globale
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
64
Autour de 36% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.2
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
14
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
64
Vitesse de lecture, GB/s
14.0
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.2
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2356
2197
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB Comparaison des RAM
Smart Modular SH564568FH8N0QHSCG 2GB
Mushkin 994093 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link