RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Comparez
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Note globale
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
17.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
39
Autour de -77% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
1,597.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
22
Vitesse de lecture, GB/s
5,022.9
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,597.0
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
753
3075
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Comparaison des RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Comparaison des RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSX8GX3M2A1866C10 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link