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PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
Comparez
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB vs A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
Note globale
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Note globale
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
28
Autour de 7% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.7
12.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
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Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
26
28
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
12.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.3
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
10600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2270
2070
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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