RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.0
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
27
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
16.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
3873
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Smart Modular SH564128FH8N0QHSCG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link