RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
45
Autour de 40% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.8
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
45
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
13.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
2841
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link