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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
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Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.4
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
27
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
3052
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
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Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
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