RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
75
Autour de 64% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
7.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.5
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
75
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
7.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
1735
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link