RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
67
Autour de 60% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
67
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
2042
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link