RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
30
Autour de 10% latence réduite
Raisons de considérer
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
30
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
3090
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link