RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
39
Autour de 31% latence réduite
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.4
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.4
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
39
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
14.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
9.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
1966
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link