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PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
32
Autour de 16% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.8
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.3
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
32
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
11.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
13.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
2844
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
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Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB Comparaison des RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8G2666CL19 8GB
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Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
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