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PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
73
Autour de 63% latence réduite
Raisons de considérer
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
73
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
8.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
1822
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
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SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
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