RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Comparez
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Note globale
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
42
Autour de -27% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.8
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
33
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
14.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2001
3596
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-D8KM9 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link