RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Comparez
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB vs Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Note globale
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Note globale
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
42
Autour de -20% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.9
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
35
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
10.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2001
2613
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB Comparaison des RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link