RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Comparez
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Note globale
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Note globale
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.2
10.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
42
Autour de -31% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
32
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
10.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2001
2349
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Smart Modular SH564128FH8N0QHSCG 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link