RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Comparez
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Note globale
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
43
Autour de -65% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.6
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.9
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
26
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
18.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.3
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2285
3406
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9N1 16GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Inmos + 256MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link