RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Comparez
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Note globale
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.2
10
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.3
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
43
Autour de -23% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
35
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
10.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.3
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2285
2200
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB Comparaison des RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link